050221_03
力率改善用ハイブリッド型エミッター・スイッチド・トランジスター  仏伊合弁の半導体メーカー、STマイクロエレクトロニクスはバイポーラとMOSFETの長所を併せ持つハイブリッド型のエミッタースイッチド・トランジスター（ESBT）「STE50DE100」を開発した。用途は溶接装置、IH（電磁誘導加熱）器具、オーディオアンプの力率改善などに適しているという。 同ESBTは1000Vという高いコレクターソース電圧と最大50Aのコレクター電流に耐え、四端子のISOTOPパッケージで供給される。さらに同ESBTはバイポーラ部品と同レベルまで伝導損失を低減するとともに、最大150kHzというMOSFETに匹敵する高速スイッチング性能を実現した。 25℃で160Wという高い全損失に耐え、最大動作接合温度150℃、絶縁耐電圧2500V AC-RMSの特性を持つ。価格は一千個受注時単価20ドル。 |
||||||||||||