電波プロダクトニュース



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5月31日050531_01 サムスン電子 半導体集積回路 メモリー パソコン・OA機器・LAN用

初の70nmプロセスを利用した4GビットNAND型フラッシュメモリ



【ソウル支局】韓国のサムスン電子は30日、初めて70nm(ナノメートル)のプロセス技術を使った4Gb(ギガビット)のNAND型フラッシュメモリーの生産を開始したと発表した。

同社はこれまでに256メガビット、512メガビット、1ギガビット、2ギガビット、4ギガビット、8ギガビットの各容量のNAND型を生産してきたが、70ナノメートルによる生産は今回が初めて。同社では0.025マイクロメートルの超小型メモリーセルのサイズを実現することで4ギガビットのNAND型メモリーを実現した。

同社はさらに300ミリウエハーの生産ラインを計画より1カ月前倒しで完成させた。「ライン14」と呼ばれる同ラインは当初月間4千枚の300ミリウエハーを生産、今年末には1万5千枚に引き上げる。

同ラインは70ナノメートルによる4ギガビットと90ナノメートルによる2ギガビットの2種類のNAND型フラッシュメモリーを生産する。

調査会社ガートナーによると、4ギガビットタイプは世界で今年80億ドルのNAND型フラッシュメモリー市場の30%以上を占めるという。

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