電波プロダクトニュース



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日付 メーカー名 製品分類 分類 用途
6月23日050623_01 サムスン電子 半導体集積回路 メモリー パソコン・OA機器・LAN用

業界最速毎秒2.0ギガビットでメモリー容量512MビットのグラフィックスDDR3 DRAM



【ソウル支局】韓国サムスン電子は21日、90ナノメートルの微細加工技術を採用し、業界最速の毎秒2.0ギガビットでメモリー容量512メガビットのグラフィックスDDR3(GDDR3) DRAMを開発したと発表した。

同ソリューションは、クロックスピード毎秒8.0ギガバイトで、従来の1.2ギガbpsデバイスに比較して70%の高速を実現。PCやワークステーション、ハイエンドゲーム機器での高品質画像や高速アニメーションの読み取りに適しているという。

同社では今回、04年12月に開発した1.6ギガbpsで512メガビット容量のGDDR3の量産出荷を開始したことも明らかにした。

通信速度毎秒6.4ギガバイトの同ソリューションは、512メガビットのモノリシックGDDR3を16個組み合わせることで、最大密度1ギガバイトを実現し、グラフィックカードなどに搭載される。同GDDR3は、JEDEC(電子部品の標準化を推進する米業界団体)標準136ボール・パッケージを内蔵。

サムスンは、02年に業界初の1.0ギガbpsで128メガビット容量のGDDR1/GDDR2を紹介。今回の発表により、GDDRメモリー技術のフルラインアップを確保した。

市場調査会社の米マーキュリー・リサーチによると、世界のGDRAM市場は05年が前年比43%増の15億ドル、06年は20億ドルを超える見込みだ。

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