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低電圧高速動作実現の512メガビットDDR3 SDRAM  エルピーダメモリは２３日、次世代の高速ＤＲＡＭ、５１２メガビットＤＤＲ３ ＳＤＲＡＭを開発したと発表した。 今回開発した５１２メガビットＤＤＲ３ ＳＤＲＡＭは、1.5ボルトの低電圧で、ＤＤＲの２倍の１３３３メガビット／秒の高速動作を実現。ＪＥＤＥＣほか業界で標準化検討中の各種最新仕様を取り込んだ製品となっている。 また、この製品は、同社で安定した生産を行っている９０ナノメートルプロセスをベースに、ＤＲＡＭ量産品として初めて低リーク電流のデュアルゲート構造トランジスタを導入している。 同社では今後、本格量産に向けての評価、改良を進め、今年度内にサンプル出荷、さらに市場の立ち上がりに合わせて量産開始を目指す。加えて１メガビット品、２メガビット品といった、さらに大容量の製品についても開発を進める。 | ||||||||||||