電波プロダクトニュース



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日付 メーカー名 製品分類 分類 用途
9月2日050902_03 インフィニオン 電子材料 電子材料 一般民生用

高周波半導体デバイスを実現するSiGe:C(シリコン・ゲルマニウム・カーボン)プロセス



独インフィニオンテクノロジーズは8月31日、高周波半導体デバイスを実現するSiGe:C(シリコン・ゲルマニウム・カーボン)プロセス技術を公表した。

同社の最新世代HBT(ヘテロ接合バイスポーラ・トランジスタ)に適用された同技術は、超低雑音で高い利得を実現、従来はGaAs(ガリウム・ヒ素)を適用した高コストの技術が必要だった性能がシリコン適用により達成される。

SiGe:Cトランジスタは、周波数10ギガヘルツまでの広範な高周波、無線アプリケーションでLNA(ロー・ノイズ・アンプ)、マイクロはオシレータ、汎用アンプなどの機能実現に最適。代表的なアプリケーションに、無線LAN、WiMAX、コードレス電話、UWB、GPS、衛星利用の各種放送サービスなどがある。

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