電波プロダクトニュース



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日付 メーカー名 製品分類 分類 用途
9月13日050913_02 東芝 半導体素子 ディスクリート 通信インフラ用

6ギガヘルツ帯で世界最高出力147ワットを実現した窒化ガリウム・パワーFET



東芝は12日、基幹通信基地局や衛星通信基地局などで用いられるマイクロ波通信用の高周波・高出力素子として、6ギガヘルツ帯で世界最高出力174ワットを達成した窒化ガリウム・パワーFET(電界効果トランジスタ)を開発したと発表した。今回開発したパワーFETは、HEMT(高電子移動度トランジスタ)構造を採用している。また、FETの単位構造であるソース、ドレイン電極間の距離とゲート長および各電極への給電部の形状などをC帯(4ギガ-8ギガヘルツ)以上の高周波でも高性能動作するよう微細化、最適化している。さらに素子構造最適化に合わせ、表面処理と熱処理条件の最適化で、ゲート電極の採用によりゲートリーク電流を従来の30分の1に低減した。

これら独自の電極構造とプロセス技術により、1枚のウエハーから多くのチップを均一に作ることが可能となり、4つのチップをパッケージ内で損失を抑えて電力合成する技術を確立した。

これにより発熱源を分散させ高出力化を可能とし、C帯で150ワットを超える高出力を実現。同社では1年以内の実用化をめざす。

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