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9月13日050913_07 サムスン電子 半導体集積回路 メモリー デジタル情報家電用

50ナノの超微細加工技術を使った16ギガビットNAND型フラッシュメモリー



【ソウル支局】韓国サムスン電子は12日、世界で初めて回路線幅50ナノメートルの設計ルールを使用した16ギガビットのNAND型フラッシュメモリーをはじめ、7.2メガピクセルのCMOSイメージセンサー、メモリーとモバイルCPUをシングルパッケージに統合したフュージョン(融合型)半導体などの新技術を発表した。

中でも、50ナノの超微細加工技術による業界初の16ギガビットのNAND型フラッシュメモリーは、1枚のウエハーに計164万個のトランジスタを詰め込むことができる。このためメモリー1枚でMP3形式の音楽ファイルを500曲記憶可能。また、このメモリーを16個組み込んだメモリーカードでは、MP3音楽ファイルなら8000曲、DVD映画なら20作品を記憶できる。

サムスンの半導体総括、黄昌圭社長は同メモリーの開発により「ミニHDDの代替品としてだけでなく、ノートPCのHDDに代わる、モバイル時代の主流データ記憶技術として大きな可能性が開かれた」と述べた。

サムスンのNAND型フラッシュメモリーは、先ごろ米アップルが発表した超薄型のデジタル音楽プレヤー新製品「iPod Nano」にも採用されている。またソニーの携帯型ゲーム機、プレイステーション・ポータブル(PSP)にはサムスンの1ギガバイトのNAND型フラッシュメモリーが使われている。

過去に例のない新市場への参入で、NAND型フラッシュメモリーの市場は今後、急成長が予想される。50ナノメートルの設計ルールが4ギガビット、8ギガビットのメモリーに採用されれば、NAND型フラッシュメモリー市場は05年102億ドルから10年には300億ドル規模に拡大するとサムスン電子では予想している。

今回発表した16ギガビットのNAND型フラッシュメモリーは06年下半期に量産開始の予定。

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