051018_08沖電気

051018_08
　

日付		メーカー名	製品分類	分類	用途
10月18日	051018_08	沖電気	半導体素子	ディスクリート	通信インフラ用

世界最高の増幅特性を持つ無線通信用GaN-HEMTパワートランジスタ

沖電気工業は１７日、無線通信用パワートランジスタとして世界最高の増幅特性を持つ窒化ガリウム系高電子移動度トランジスタ（GaN-HEMT）の開発に成功したと発表した。

このパワートランジスタは、通常のシリコンカーバイト（ＳｉＣ）基板上ではなく、一般のシリコンウエハー上にGaN-HEMTを作成することにより実現している。

得られた特性の指標である相互コンダクタンス（ｇｍ）は、１ミリメートル当たり３５０ｍＳ（シーメンス）を達成した。さらに、高周波特性として最大発振周波数（ｆｍａｘ）１１５ギガヘルツ、電流利得遮断周波数（ｆｔ）５６ギガヘルツとＳｉＣ上のＧａＮ―ＨＥＭＴに並ぶ性能を実現している。

同社では、この技術を基にトランジスタの高出力化に取り組み、第３世代携帯電話基地局および広帯域無線アクセスなどに向けた製品化を進める計画で、０７年には量産出荷を開始する予定。

この研究開発は、同社と名古屋工業大学極微構造デバイス機能システム研究センターと共同で開発された。