電波プロダクトニュース



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日付 メーカー名 製品分類 分類 用途
11月15日051115_01 エルピーダメモリ 半導体集積回路 メモリー パソコン・OA機器・LAN用

1066メガヘルツで動作する次世代高速512メガビットDDR3 SDRAM搭載のDIMM



エルピーダメモリは14日、今年8月に開発を完了した次世代の高速DRAM、512メガビットDDR3 SDRAMの社内評価を終え、インテルへサンプル出荷を開始したと発表した。

今回、出荷したのはDDR3 SDRAMを搭載したDIMM(デュアル・インライン・モジュール)で、DDR3のユーザーである機器メーカーにおけるシステムレベルの評価を可能にするとともに、市場への投入を踏まえたもの。ギガヘルツ級の高速動作の確認やDDR3と、その周辺回路との高速インターフェイス評価などができる。

このDIMMは、1066メガヘルツでの動作を確認した512メガビットDDR3 SDRAMを搭載し、モジュールでもギガヘルツ級の高速性能を実現している。

また、DDR3とその周辺回路間の高速伝送特性向上を実現する、出力強度や終端抵抗を自己調整/自己補正する機能、システム構成やシステム側の要求仕様に合わせて高精度でフレキシブルに対応するといったシステム上でのDDR3の評価が可能である。さらにDDR2製品に比べ2倍の高速性能ながら、同等の消費電流となっている。

同社では市場の立ち上がりに合わせて量産を開始できるよう準備を進めるとしている。

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