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900ボルトの耐圧を持ちオン抵抗を世界最小の3.1ミリオーム平方センチに抑えたSiCパワーMOSFET
ゲート絶縁膜の材料、形成方法を変え、エレクトロンのチャネル移動度を同社従来品のＳｉＣパワーＭＯＳＦＥＴの３、４倍に速めた。セルピッチもこれまでの１６マイクロメートルから１０マイクロメートルに微細化した。ゲート長は従来のまま。電界集中が起こりにくいガードリング構造を用いた。 これらにより同社従来品の1000ボルト耐圧で7.15ミリオーム平方センチメートルと世界最小だったオン抵抗を3.1ミリオーム平方センチメートルにまで下げた。ＳｉＣプレーナ型ＤＭＯＳの限界に近づけ、ＳｉＣ本来の物性を引き出した。 エピ設計を工夫すれば今回と同程度のオン抵抗で耐圧を１５００ボルト程度まで高められるとみている。0.9ミリ角チップの試作品で3-5アンペアの大電流を流せた。０６年中にエンジニアリングサンプルを出荷し、ユーザーの要望を聞きながらモーター用や電源・インバータ用などに量産時期を検討していく。 3.1ミリオーム平方センチメートルのオン抵抗は９００ボルト耐圧クラスのシリコン（Si）-DMOSに比べ約８０分の１。Si-coolMOSやＩＧＢＴと比較しても約６分の１にあたり、チップサイズもそれぞれの８０分の１、６分の１にできる。 ＳｉＣパワーＭＯＳＦＥＴは、Ｓｉ系パワーデバイスに比べ電力変換時の損失が少なく、電源や民生機器の小型、高効率化が図れる。ハイブリッド車に応用すれば走行距離を大幅に延ばせる次世代パワーデバイスとして注目されている。 | |||||||||||||
