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3月15日060315_06 サムスン電子 半導体集積回路 メモリー パソコン・OA機器・LAN用

80ナノ加工技術を利用したDDR2 DRAM



【ソウル支局】韓国サムスン電子は13日、業界で初めて80ナノメートル(ナノ=10億分の1)の加工技術を使ったDDR2 DRAMの量産を開始したと発表した。

80ナノのプロセス技術は03年9月にサムスンが開発したもので、90ナノメートル技術を使用した場合に比べ生産性を50%以上向上できるという。サムスンではこの先、新技術に移行することで、DDR2メモリーに対する旺盛な需要に対応するとしている。

同社は当初、主に512メガバイトのDDR2の生産に80ナノ技術を活用し、以後、その他のDRAMチップの生産にも広げていく考え。

サムスンの半導体部門DRAMマーケティング・ディレクタ、トム・トリル氏は「04年の市場投入以来、DDR2需要は非常に高い水準で推移している。80ナノ技術を利用することで、この需要の伸びに効率よく対応することができる」と語った。

同社は90ナノ技術の基本的な機能を活用することで、90ナノから80ナノ技術への移行をスムーズに行い、生産ラインのアップグレードも最小限に抑えることができたとしている。

また、3次元トランジスタ技術「RCAT」の採用も、80ナノ技術への移行を加速させる要因になったという。トランジスタ構造を3次元とすることで、データストレージにおける重要な要素である、リフレッシュレート(=垂直走査周波数。ディスプレイが1秒間に画面を書き換える回数)を大幅に高めることができる。

単位面積あたりの集積度を高め、トランジスタの専有面積を削減することで、ウエハー1枚当たりのチップ生産をより効率的に行うことも可能となる。

サムスンは03年に100ナノ技術によるDDR2の量産に着手、04年にプロセス技術を90ナノメートルに移行した。いずれも業界では初の試み。

サムスンが指摘する通り、DDR2は今後も大幅な伸びが見込まれており、米調査会社ガートナーによると、06年のDDR2メモリーの出荷数は全DRAM市場の5割以上を占める見込みだ。

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