電波プロダクトニュース



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日付 メーカー名 製品分類 分類 用途
6月2日 060602_05 ライテック 半導体素子 ディスクリート 移動体通信機器用

次世代携帯電話等に最適な超高周波電力用極小接合容量PINダイオード


 ライテック(京都市、坂井夕美社長)は、超高周波電力用の極小接合容量PINダイオード「L209NE」を開発、今月から販売を開始。初年度2千万円の売上げを見込む。

  L209NEは、LTCシリーズシリコンPINダイオードの新製品。従来のセラミックMELFパッケージ品より大幅に高周波特性を改善した。端子間容量を0.4ピコF(TYP)と極小化し、超高周波での信号分離特性にも優れる。VHF、UHF帯での電力スイッチングが可能。ゼロバイアスでの容量、逆バイアス依存性、挿入損失、順直列抵抗がいずれも小さく、アイソレーションが高いなどの特徴がある。表面実装タイプ(リフローハンダ対応)。RoHS規制対応品。

  外形寸法は、最大3.5×2.5×2.5ミリ。最大定格は▽許容損失1ワット▽スイッチング電力100ワット▽逆耐圧270ボルト▽サージ電流2アンペア。

  3ギガヘルツから5ギガヘルツ以上の周波数帯で利用される次世代の携帯電話、WiMAX、ワイドバンドワイヤレス通信機、デジタルアマチュア無線機の中継機器、ETCやRFIDリーダーライターなどの電力用アンテナスイッチに適する。

  これまでUHF領域(〜3ギガヘルツ)で使用されていた電力用PINダイオード2機種(L402FE、L709CE)も、3ギガヘルツ以上の超高周波領域で最大100ワットの許容電力を持ったアンテナスイッチング素子として利用できる。特にL402FEは、挿入損失が非常に少ない特性を持つ。


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