電波プロダクトニュース



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日付 メーカー名 製品分類 分類 用途
6月7日 060607_04 東芝/NEC 半導体集積回路 メモリー パソコン・OA機器・LAN用

256メガビット級の大容量MRAM (不揮発性磁気メモリ)に必要な基盤技術


 東芝とNECは6日、共同開発中の次世代メモリーの一つとして注目されているMRAM(不揮発性磁気メモリー)で、256メガビット級の大容量化に必要な基盤技術を確立したと発表した。

 これは、MTJ(磁気抵抗)素子の形状や、構造の最適化による誤書き込み防止技術、配線構成の改良と電流駆動の最適化により、低電圧動作・ 高速書き込みを実現する回路技術、およびMRAMの微細加工に必要な磁性体のエッチング技術など、実用化に必要な技術の開発に成功したもの。

 書き込みの制御性を高めるプロペラ型MTJ素子形状を開発するとともに、要素技術を統合した16メガビットチップを用いて、256メガビットまで高集積化した場合でも動作することを検証したほか、書き込み電流値も、世界最小の約4ミリアンペアに低減した。

 両社は、02年度からMRAMの共同開発を開始、03年度からはNEDO(新エネルギー・産業技術総合開発機構)の助成を受け、0.13マイクロメートルCMOS技術と、0.25マイクロメートル強磁性体トンネル接合技術を用いて、256メガビット級MRAM実現のための基盤技術の構築を目指していた。

 今後は、さらなる大容量化や高速化に向けたMRAMの開発を進めるとしている。

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