電波プロダクトニュース



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6月29日060629_05 サムスン電子 半導体集積回路 メモリー デジタル情報家電用

60ナノメートルプロセス技術を使用した2ギガビットのOneNANDフラッシュメモリーチップ


 【ソウル支局】韓国のサムスン電子は27日、回路線幅60ナノメートル(ナノ=10億分の1)のプロセス技術を使用した2ギガビットの「OneNAND」フラッシュメモリーチップを開発したと発表した。「OneNAND」はSRAMと制御ロジック、NAND型フラッシュメモリーを組み合わせたフュージョンチップで、同社は今年4月に70ナノのプロセス技術を使用した1ギガビット製品の量産を開始している。

  2ギガビット製品は、記憶容量が2倍になっただけでなく、書き込み速度が1ギガビット製品の毎秒9メガバイトから17メガバイトに大幅に向上。一方、読み取り速度は従来と同じ毎秒108メガバイトだが、これにより、世界最速のエータ処理速度を誇るメモリーチップが誕生した。

  NOR型フラッシュメモリーと同等の高速読み取りスピード、NAND型製品の大容量性、書き込みスピードの速さを併せ持つ「OneNAND」は、マルチメディア携帯電話からデジタルカメラ、着脱可能なメモリーカード、PC、デジタルテレビなど、広範囲におよぶ用途が見込まれるとサムスンでは期待している。

  「OneNAND」はまた、個々のチップを垂直に積み上げ、相互に接続して利用することが可能で、これによりさらに大容量のデータを処理できるようになる。たとえば、2ギガバイトのチップを8個接続すれば、書き込み速度は毎秒最大136メガバイトまで向上するという。

  同チップは、フラッシュメモリーをHDD(ハードディスクドライブ)アーキテクチャに組み込んだサムスンのハイブリッドHDDのバッファメモリーとしても使用されている。こちらでも、さまざまなアプリケーションでの利用が見込まれている。

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