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40ギガビット/秒の動作が可能なGaInNA（ガリウム・インジウム・窒素・砒素）半導体レーザー
ビル内や構内に設置されているルーター（データ転送装置）や伝送装置間を繋ぐＩＰ（インターネット・プロトコル）光通信ネットワーク向け。ＧａＩｎＮＡｓを活性層に用い、５度Ｃでの直接変調方式により低消費電力、高速動作する小型光源（光送信モジュール）を可能にしたもの。 今回、開発した半導体レーザー素子は、同社が９５年に提案した新規波長材料ＧａＩｎＮＡｓに適した「Ａｌ（アルミニウム）フリー分子線エピタキシ技術」を確立して新結晶成長技術を開発、これを活性層に用いた。また、“逆メサ型リッジ構造”で従来構造に比べ約２倍の高速化と低消費電力化も実現した。「光通信のキーデバイスとしてＩＴバブル」崩壊後、低迷していた半導体レーザーも最近、復活の動きが見られ、再び活気が出てきた。高速化、低コスト化を実現するための新材料を用いることで新半導体レーザー素子の開発に成功した」（青木雅博・光デバイス研究プロジェクト・リーダー）。 同社では、さらに結晶質の改善、レーザー構造の最適化をはかり５、６年後の実用化を目指す。 今回の研究は、独立行政法人情報通信研究機構（ＮＩＣＴ）からの委託研究の一環。今月２９日からの「第６７回応用物理学会」（滋賀県大津市）ほか、関連する国際会議で発表する。 |
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