電波プロダクトニュース



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9月12日060912_04 サムスン電子 半導体集積回路 メモリー デジタル情報家電用

CTF技術を使った32ギガビットNANDフラッシュメモリと512メガビットPRAM


 【ソウル支局】韓国のサムスン電子は11日、フラッシュメモリー製造のための画期的新技術「チャージ・トラップ・フラッシュ(CTF)」と、次世代不揮発性メモリーといわれる512メガビットの「PRAM」(相変化式随時書き込み読み出しメモリー)を開発したと発表した。

  同社の半導体事業、黄昌圭CEOは記者会見の席で「CTFは、記憶素子の回路でこれまで主流だった浮遊ゲートに代わるもので、フラッシュメモリーチップ業界の新時代の幕開けを予兆する技術」と紹介。サムスンでは同技術を活用することで、回路線幅40ナノメートル(ナノは10億分の1メートル)という先進プロセス技術を使った世界最大容量、32ギガビットのNAND型フラッシュメモリーを製造することに成功した。

  32ギガビットのNAND型フラッシュを使用すると、64ギガバイトのメモリーカード、32ギガバイトのMP3プレヤー、128ギガバイトのSSD(ソリッドステートディスク)の生産が可能になる。サムスンは、08年に32ギガビットNAND型フラッシュメモリーの量産に着手。10年には同製品の売上げ規模は500億ドルに達すると期待している。

  一方のPRAMは、他のメモリー・アーキテクチャに比べて拡張性に優れ、処理速度が格段に速いことが特徴だ。以前蓄積したデータを消去せずに、新たなデータの書き込みができるため、従来のフラッシュメモリーに比べ処理速度が大幅に向上。また、耐久性にも優れ、寿命はフラッシュメモリーの10倍以上という。

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