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線幅65ナノメートルの微細加工技術によるNOR型フラッシュ多値セル(KLC)チップ製品シリーズ
この中には、業界初の携帯電話向け１ギガビットモノリシックチップも含まれ、メガピクセルカメラ、映像・高速データ通信機能を持つ、次世代端末をターゲットに提供する。これにより同社は、ＮＯＲ型フラッシュメモリーの先駆者として、市場での地位強化を図る。 今回、インテルが発表した製品は、すべて同社独自の「ＳｔｒａｔａＦｌａｓｈセルラーメモリー（Ｍ１８）」アーキテクチャをベースに構築されている。同アーキテクチャはフラッシュメモリーのセル１つに２ビットのデータ量を格納することで、メモリーの記憶容量を倍増させる技術。 全製品がインテルの９０ナノメートル技術によるＮＯＲ型フラッシュとドロップインで互換性があるため、端末メーカーの新製品への移行も簡単に行えるという。 読み取り速度は最大１３３メガヘルツ。書き込み速度は毎秒最大１.０メガバイトと、前世代製品の２倍に拡大。消費電力が低いほか、１.８ボルトの動作電圧やディープパワーダウンモードなどにより、バッテリ寿命も前世代製品に比べ大幅に向上した。 新製品群の目玉となるのが高密度１ギガビット製品で、マルチメディア・ファイルの記憶容量が従来の約２倍。薄型と大容量という２つの顧客ニーズを満たす製品と、同社では自信をみせる。０７年には、Ｍ１８アーキテクチャ搭載の５１２メガビット、２５６メガビット、１２８メガビット製品も６５ナノメートル技術で生産する予定だ。 今回出荷を開始した新製品は、インテルとスイスのＳＴマイクロエレクトロニクスによる携帯電話用メモリー・アーキテクチャに関する協業の成果とインテルは説明している。 |
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