061114_01 東芝

061114_01
　

日付		メーカー名	製品分類	分類	用途
11月14日	061114_01	東芝	半導体素子	ディスクリート	通信インフラ用

9.5ギガヘルツ帯で世界最高出力の81.3ワット出力を達成した窒化ガリウム・パワーFET

　東芝は、衛星通信基地局やレーダーなどで用いられるマイクロ波固体化増幅器向けの高周波・高出力素子として、９.５ギガヘルツ帯で世界最高出力の８１.３ワットの出力を達成した窒化ガリウム（ＧａＮ）・パワーＦＥＴを開発した。これにより、増幅器の高出力化、固体化、小型化が可能になる。

　同社では、この技術を使用してＸ帯（８ギガ―１２ギガヘルツ）５０ワット級ＦＥＴの製造技術を確立、サンプル出荷を開始した。そして半年以内の量産化を目指す。

　開発した窒化ガリウム・パワーＦＥＴは、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）構造を採用している。窒化ガリウム層の上にアルミニウムガリウムナイトライド（ＡｌＧａＮ）層を成長させており、これらの層を最適化することで、優れた性能を実現した。

　また、この結晶層構造をもとにＦＥＴのソース、ドレイン電極間の距離とゲート長、および各電極への給電部の形状などをＸ帯での動作用に最適化し、発生する熱の分散と９.５ギガヘルツ帯での特性を両立させている。

　このＦＥＴは、マイクロ波固体化増幅器に現在用いられているガリウム・ヒ素パワーＦＥＴに対し、約６倍の電力密度を実現している。

　この開発成果は、１２日（米国現地時間）から米国テキサス州サンアントニオで開催される化合物半導体ＩＣシンポジウムで発表される。