電波プロダクトニュース



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日付 メーカー名 製品分類 分類 用途
11月21日061121_01 ルネサス テクノロジ 半導体複合部品 機能モジュール 一般産業用

CPUなどのボルテージレギュレータ用ドライバICとハイサイド/ローサイドの2つのMOSFETを集積したDrMOS


 ルネサス テクノロジはこのほど、PCやサーバーなどのCPU向けボルテージレギュレータ用に、ドライバICとハイサイド/ローサイドの二つのパワーMOSFETを集積した「integrated Driver―MOSFET(DrMOS)」準拠第2弾の第2世代品「R2J20602NP」を製品化、12月からサンプル出荷を開始する。サンプル価格は735円。07年1月から月1万個で量産を開始し、10年1月には、月250万個を予定している。

 新製品は、ドライバICとハイサイド/ローサイドスイッチ用二つのパワーMOSFETを集積するインテル提唱のパッケージ規格DrMOSに準拠した第2世代品。プロセス変更やパッケージ構造改良などにより、性能向上を図っている。

 高性能パワーMOSFET、新規開発の高放熱/低損失パッケージ、および高速ドライバICの技術により、業界最高の高出力電流40アンペアを実現している。

 また、スイッチング周波数が1メガヘルツ動作において、最大効率が業界最高レベルの約89%(12ボルト入力、1.3ボルト出力時)を達成している。出力電流25アンペア時の電力損失は業界最小レベルの4.4ワットと、従来品に比べ、20%以上の低損失化を図っている。

 パッケージは、8×8×0.95ミリメートルの小型56ピンQFNパッケージで供給される。

 主な用途は、デスクトップPCやサーバーのCPU用ボルテージレギュレータ、高性能GPU、大電流DSP用のDC―DCコンバータ、通信などのPOLコンバータなど。

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