061121_04 NECエレクトロニクス

061121_04
　

日付		メーカー名	製品分類	分類	用途
11月21日	061121_04	NECエレクトロニクス	半導体素子	ディスクリート	移動体通信機器用

チップ面積あたりの性能を現行機種に比べ約3割向上させたリチウムイオン二次電池保護用パワーMOSFET

　ＮＥＣエレクトロニクスはこのほど、チップ面積当たりの性能を現行機種に比べ約３割向上させたリチウムイオン二次電池保護用パワーＭＯＳＦＥＴ「μＰＡ２４５０Ｃ」を開発、サンプル出荷を開始した。サンプル価格は５０円。量産体制を既に整えており、月3000万個規模で量産を行う計画。

　新製品は、ゲート電極と同サイズの絶縁膜を実現でき、同一トランジスタ面積当たりの電極面積を倍増できる新プロセスのＵＭＯＳ５を採用している。

　これにより、単一トランジスタ面積当たりに流せる電流を、最大で倍増させることができ、チップの性能を向上させることができる。

　また、リチウムイオン二次電池向けＭＯＳＦＥＴとしては、業界で最小となる１ミリメートル平方当たり５.３ミリオームのオン抵抗値を実現しており、発熱を防止しながら大電流を流すことができる。

　主な用途は、携帯電話、デジタルカメラ、携帯ゲーム機器搭載のリチウムイオン二次電池。