電波プロダクトニュース



070126_01
 
日付 メーカー名 製品分類 分類 用途
1月26日070126_01 サンディスク 半導体集積回路 メモリー 一般民生用

線幅56ナノメートル技術を使った第5世代の1ギガバイト多値セル(MLC)NANDフラッシュメモリチップ


 【ニューヨーク支局】米サンディスクは23日、線幅56ナノメートルのプロセス技術を使用した、1ギガバイトの多値セル(MLC)NAND型フラッシュメモリーチップを第1四半期(1−3月期)中に出荷すると発表した。同チップは、東芝の半導体製造拠点の一つである、四日市事業所の300ミリウエハー施設「ファブ3」で製造。上半期中に、業界最高密度の2ギガバイト製品も出荷の見込みだ。

 現在、56ナノメートル技術を使用した1ギガバイト製品は、数量限定のエンジニアリング・サンプルを出荷中で、3月末までに量産出荷を開始する。

  これに続き、第2四半期に出荷を予定している2ギガバイト製品は、従来の70ナノメートル技術による製品と比べ、チップ当たりのメモリー密度が2倍で業界最高。

  アーキテクチャ上の革新とプログラミング効率の向上により、性能も大幅に向上した。これにより、高性能フラッシュメモリー製品をよりコスト効率よく生産することができると同社では期待している。

  サンディスクの技術・ワールドワイド事業担当のランディール・ターカー副社長は「56ナノメートル技術の導入により、第5世代のMLC・NAND型フラッシュメモリーを量産展開していく。先進技術と設計力により、70ナノメートル世代に比べ書き込み速度も約2倍という製品が実現するだろう」と述べた。

  チップを生産するファブ3は、05年に東芝とサンディスクが共同設立した初の300ミリウエハー工場。両社は、MLC・NAND型フラッシュに関する多くの技術、設計を共同で開発し、ファブ3で生産した製品を両社で分割、それぞれ出荷している。

  現在、両社の合弁企業であるフラッシュ・アライアンスが、300ミリウエハーの新工場「ファブ4」を建設中で、ここでも年末までには56ナノメートル技術によるMLC・NAND型フラッシュメモリー製品を製造する予定だ。



| 全新製品情報 | 一般電子部品:製品別リスト |
|
電子デバイス:製品別リスト | 電子デバイス:用途別リスト|
|
ホームページへ戻る | 次データへ |