070130_01 セイコーエプソン／富士通

070130_01
　

日付		メーカー名	製品分類	分類	用途
1月30日	070130_01	セイコーエプソン／富士通	半導体集積回路	メモリー	デジタル情報家電用

従来に比べ4倍の集積度と3倍以上の書き換え速度および100兆回以上の書き換え回数を実現したFRAM

　セイコーエプソンと富士通は２９日、従来に比ベ４倍の高集積度、３倍以上の書き換え速度および１００兆回以上の書き換え回数の高　信頼性を実現した次世代ＦＲＡＭの開発を発表した。

　ＦＲＡＭは電源を切っても内容を保持する不揮発性メモリーの１つで、強誘電体膜をデータ保持用のキャパシタに利用している。セキュア（安全）な最先端メモリー技術として注目を集める。

　両社は、０５年６月に提携を発表、ＦＲＡＭの次世代技術の共同開発に取り組んできた。

　今回の共同開発を通じ、既存のＣＭＯＳロジック工程に強誘電体工程の追加で対応でき、今後の量産技術の開発にも適した構造を持つ。

　新たな強誘電体（ＰＺＴ）膜の形成、加工や評価技術の確立など期待通りの成果を得られたとして共同開発は終了する。

　実用化の時期は未定としているが、エプソンは今回の成果を同社の低消費電力ＣＭＯＳ技術と組み合わせることで電池駆動・携帯機器に対応できる混載ＬＳＩの開発・製品化活動を加速する。

　富士通も成果をもとに量産技術の開発を進め、低消費電力で高速読み書きなどＦＲＡＭの優位性を生かせるセキュリティ市場に加え、ＦＲＡＭ内蔵マイコンによる新市場開拓に取り組む、としている。