070130_02 インテル

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日付		メーカー名	製品分類	分類	用途
1月30日	070130_02	インテル	半導体集積回路	メモリー	デジタル情報家電用

現行同製品よりリーク電流が５倍少ない300ミリウエハー上で45ナノプロセス技術を使ったSRAM

　【ニューヨーク支局】米インテルは３００ミリウエハー上で４５ナノメートルプロセス技術を使ったＳＲＡＭ生産を今年後半に開始する。生産工場は現在、４５ナノメートルによるＳＲＡＭを開発している米オレゴン工場に加え、アリゾナ州とイスラエルでも生産の予定だ。

　４５ナノメートル技術利用の同ＳＲＡＭにはトランジスタ１０億個が集積されており、現行の同製品よりリーク電流が５倍少ない。このため、携帯端末の電池寿命を伸ばし、製品の一層の小型化を可能にする。

　現在同社は６５ナノメートルプロセス技術による半導体生産では業界をリードしており、４５ナノメートルへ移行することでさらに他社より先行したいとしている。