電波プロダクトニュース



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日付 メーカー名 製品分類 分類 用途
2月1日070201_01 ローム 半導体素子 光半導体 一般民生用

レーザーディスプレイ用に最適な非極性面のm面に窒化ガリウムを結晶成長させた青紫色半導体レーザー


 ロームは、結晶成長が難しい非極性面のm面に窒化ガリウム(GaN)結晶成長させた青紫色半導体レーザーの室温での連続発振に世界で初めて成功した。

  波長404ナノメートル。80度Cの環境下でも発振することを確認。しきい値電流も端面コートなしで世界最小の28mAと既存のC面結晶成長の青紫色半導体レーザー(端面コートあり)と同等以上の特性を得た。端面コートするとしきい値電流を20mA以下にできるとみている。連続発振で10mW以上の出力が出ることも確認している。

  今回、GaN単結晶基板のm面に完全無転位化のGaN結晶を有機金属気相成長(MOVPE)法で成長させる技術を確立したことで、次世代ディスプレイとして注目されているレーザーディスプレイで必要な緑色半導体レーザーのキーテクノロジーであるm面結晶成長技術にメドをつけた。

  同社では、今回の結晶成長技術を用い、波長460ナノメートルの青色半導体レーザーを試作中。07年中には、m面にインジウム窒化ガリウム(InGaN)結晶成長させた波長532ナノメートルの緑色半導体レーザーを試作し、2010年−2012年ごろに緑色半導体レーザーの量産を開始。赤色、青色の半導体レーザーと組み合わせて大型、高精細ディスプレイから携帯電話などの小型ディスプレイまでの幅広い応用が期待されているレーザーディスプレイ用に供給する計画。

  今回の青紫色半導体レーザーは、06年のCEATECで開発発表した非極性面のm面に、GaN結晶成長させた波長450ナノメートルの青色LEDの技術をベースに開発を進めていた。MOVPE結晶成長法の温度、圧力、ガスの割合、流量などを最適化することにより、m面上に完全無転位のGaN結晶を成長させることができた。



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