電波プロダクトニュース



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日付 メーカー名 製品分類 分類 用途
2月14日070214_01 日立・東北大 半導体集積回路 メモリー パソコン・OA機器・LAN用

スピン注入磁化反転方式を用いた2メガビット高速読み出しの低消費電力・不揮発性RAM


 大学電気通信研究所(所長=大野秀男教授)は、スピン注入磁化反転方式を用いた2メガビットの不揮発性RAMチップの試作成功を発表した。

  今回開発された新技術は、高速読み出しを低消費電力な不揮発性RAM(ランダム・アクセス・メモリー)の高集積化(“ギガビット級ユニバーサルメモリー”=UM)に道を開くものとして期待される。商品化の次期は2010年以降を予定。

 日立と東北大の共同開発チームは、MgO(酸化マグネシウム)をトンネル絶縁膜の材料とし、低電力書き込みと高出力読み出し可能なTMR素子をメモリーセルに用い、スピン注入磁化反転方式に適したメモリー回路を新たに開発した。これにより、1.8Vで書き込み時間100ナノ秒、読み出し時間40ナノ秒の最速動作をする2メガビットのスピン注入磁化反転RAMチップを試作、所定のメモリー動作が可能なことを確認した。

 この技術成果は、ISSCC07で発表された。

 *スピン注入磁化反転方式=電気的磁化反転方式とも呼ばれる。強磁性膜を流れる電子のスピンの向きをある向きに揃え、スピンの向きの揃った電流(ある向きに磁化した電流)として書き込みする技術。


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