第4世代のマルチレベルセル(MLC)で設計された65ナノプロセスのNOR型フラッシュメモリー

　仏伊合弁のＳＴマイクロエレクトロニクスはこのほど、回路線幅６５ナ ノメートルのプロセス技術を使用したＮＯＲ型フラッシュメモリー、「ＰＲ」ファミリー＝写真＝のサンプル出荷を開始した。

　同製品は、第４世代のマルチレベルセル（ＭＬＣ）技術で設計されたもので、既存の９０ナノメートル技術によるＰＲファミリー製品と、ハード、ソフトウエアで互換性がある。

　モバイル分野での高解像度カメラ、マルチメディア・コンテンツ、高速インターネット接続に対する需要の高まりに対応し、６５ナノメートルＰＲファミリーは、最大読み取り速度１３３メガヘルツ、プログラム出力毎秒１.０メガバイト、１.８Ｖ電源でディープパワーダウンモード機能を提供する。

　同製品は、０５年１２月に発表した米インテルとの技術提携の一環として開発。ＬＰＳＤＲＡＭ、ＬＰＤＤＲ―ＳＤＲＡＭ、ＰＳＲＡＭ、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーなどと一つのチップに集積して提供され、容量は２５６メガビット、５１２メガビット、１ギガビットの３種類。

　価格は１０―３０ドル。量産出荷は０７年上半期を予定している。