300ミリウエハーを使用し線幅50nmの16ギガビット多値と4ギガビットシングルレベルセルのNANDフラッシュメモリ

　【ニューヨーク支局】米半導体大手、インテルとマイクロンによるＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの合弁企業、ＩＭフラッシュ・テクノロジーズは２５日、線幅５０ナノメートルの微細加工技術で製造したＭＬＣ（マルチレベルセル＝多値）ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーのサンプル出荷を開始したと発表した。

　ＩＭフラッシュは、急増するＮＡＮＤ型フラッシュメモリー需要に対応するため、両社が０５年末に設立したもの。０６年２月にはユタ州リーハイの製造施設でウエハーの製造を開始。同年４月には、線幅９０ナノメートルのプロセスルールにより、セル当たり１ビットのＳＬＣ（シングルレベルセル）ＮＡＮＤ型フラッシュ製品の量産に着手した。

　それから１年。同社は、先進の３００ミリウエハー対応フラッシュメモリー製造施設で、積極的な生産事業を展開し、現在では５０ナノメートル技術を採用してＳＬＣ製品、ＭＬＣ製品を生産する。

　今回同社では、５０ナノ技術による容量１６ギガビットのＭＬＣ製品のサンプル出荷と同時に、４ギガビット容量のＳＬＣ製品の顧客向け出荷も開始した。

　１６ギガビットＭＬＣ新製品はより小型で、より高い電力効率が求められる今日のコンピュータ、民生電子機器に最適のサイズと容量を提供する。同社では現在、４０ナノメートル以下のさらに微細なプロセスルールを使用したＮＡＮＤ型フラッシュを開発中という。

　マイクロンのマーク・ダーカンＣＯＯ（最高執行責任者）は「我々は、この１年でインテルと成し遂げてきた業績に誇りを持っており、０８年にさらなる偉業を達成できることを期待している」と述べた。