XDRメモリーアーキテクチャを採用し70ナノプロセス技術で製造される業界最速の4.8ギガヘルツ動作512メガビットの8バンク構成XDR DRAM

　エルピーダメモリと米ラムバスはこのほど、ＸＤＲメモリーアーキテクチャを採用した業界最高速の４.８ギガヘルツ動作５１２メガビットＸＤＲ　ＤＲＡＭ「ＥＤＸ５１１６ＡＤＳＥ―５Ｅ―Ｅ」を発表した。１２月からサンプル出荷を開始し、０８年４月に量産開始を予定している。

　このＸＤＲ　ＤＲＡＭは８バンク構成で、１デバイスで業界最高の９.６ギガバイト／秒とＤＤＲ２―８００メモリーのピークバンド幅と比較して、約６倍のデータ転送レートを実現している。

　同社の７０ナノメートルプロセス技術で製造され、１０４ボールＦＢＧＡパッケージで供給される。デジタルテレビ、ゲーム機、ＰＣ、サーバー、ワークステーションなどの高性能な量産向けアプリケーションに最適である。