パワーアンプにSiGe（シリコン・ゲルマニウム）トランジスタを使い24dBmの出力で20％以上の効率を持つモバイルWiMAX用端末のRFフロントエンドモジュール

　カナダのサイジ・セミコンダクター（オタワ）はこのほど、モバイルＷｉＭＡＸ用端末のＲＦフロントエンドモジュールを開発、０８年前半から提供すると発表した。

　同社は、無線フロントエンド・モジュールやＲＦパワーアンプなどの製造・販売を行うファブレスメーカーで「ワイヤレスＬＡＮで２０％、パーソナルナビゲーションマーケットで２５％のシェアを持ち、これまでに２億個のチップ出荷実績がある」（ジョン・ブリュワー　コーポレート・ビジネス開発最高責任者）という。

　同社が開発したＷｉＭＡＸＲＦフロントモジュールは、２.３ギガ―２.７ギガヘルツのＳＥ７２６１と３.３ギガ―３.８ギガヘルツのＳＥ７３６１があり、パワー・アンプ、パワー・ディテクタ、フィルター、マッチング／バイアス・コンポーネントなどトランシーバとアンテナの間に必要な回路がすべて含まれている。

　このフロントエンド・モジュールのパワー・アンプは、ＳｉＧｅ（シリコン・ゲルマニウム）トランジスタを用い、２４ｄＢｍの出力で２０％以上の効率を持つという。