米インテルMPUとの互換性・技術的信頼性が認証された回路線幅54ナノメートルの微細加工技術による1ギガビットDDR2　DRAM

　【ソウル支局】韓国のハイニックス・セミコンダクターは２６日、０８年下半期から回路線幅５４ナノメートル（ナノは１０億分の１）の微細加工技術による１ギガビットＤＤＲ２　ＤＲＡＭの量産を開始すると発表した。

　同社はこの直前に、５０ナノメートル技術で生産した同社の１ギガビットＤＤＲ２　ＤＲＡＭが米インテルのＭＰＵとの互換性、技術的信頼性が認証されたと発表したばかり。５０ナノメートルクラスのＤＲＡＭ製品でインテルから認証を受けた例は、７月のサムスン電子に次いで、２例目。

　より微細の設計ルールの使用により、メーカーは半導体の性能を向上させるとともに、低消費電力を実現、生産性の向上を図れる。

　例えば、ハイニックスは５０ナノメートル技術によって７０ナノメートル、８０ナノメートル技術を使用する競合企業に比べ、シリコンウエハー１枚当たりの１ギガビットのＤＤＲＭ２　ＤＲＡＭの生産量を倍増させることに成功した。生産性が向上することで、コストもライバル企業より低く抑えることが可能になるという。

　米調査会社、アイサプライによると、ＤＲＡＭ市場に占める１ギガビットチップの割合は０７年はわずか７％だが、０８年は３０％に拡大する見込みだ。