最先端の回路線幅48ナノメートル（08年第4四半期には41ナノで32ギガビット製品生産予定）の微細加工技術採用の16ギガビットNAND型フラッシュメモリー

　韓国のハイニックス・セミコンダクターは、来年１月から１６ギガビットＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの量産を開始する。米ウォールストリート・ジャーナル電子版が６日付で報じた。

　 このＮＡＮＤ型フラッシュメモリーは、韓国の利川と清州にあるハイニックスの工場で、回路線幅４８ナノメートル（ナノは１０億分の１）の微細加工技術で生産される。

　 同社スポークスマンは「すぐにも世界中の顧客向けにサンプル出荷を開始する予定だ。当社より規模の大きい競合企業が、まだ実際の生産には使用していない最先端の加工技術を採用することで、彼らをけん制する」と述べた。

　 ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー出荷数では世界第３位につけるハイニックス。４８ナノメートル技術に続き、０８年第４四半期には、より微細の４１ナノメートル技術による３２ギガビットＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの生産も計画している。

　 微細加工技術への移行により同社では、生産コストの削減とともに、現在１２％のメモリー事業の利益率を押し上げることができると期待している。