フラッシュメモリーの代替としてデジタル家電機器向けシステムLSI混載メモリー用に抵抗値のバラツキを抑制した高速低消費電力の次世代不揮発性メモリReRAM

　富士通研究所（村野和雄社長）は、抵抗値のバラツキを抑制した高速低消費電力の次世代不揮発性メモリーＲｅＲＡＭを開発した。フラッシュメモリーの代替として、薄型ＴＶなどデジタル家電機器向けのシステムＬＳＩ混載メモリーを目指す。

　ＲｅＲＡＭ（抵抗メモリー）は、電圧を加えることで抵抗値が変化する材料を素子として用いたメモリー。微細化に適し、製造コストも低いことから、フラッシュメモリーの後継デバイスとして注目されている。

　開発した新技術は、ＲｅＲＡＭ素子の構造をチタン（Ｔｉ）を添加した酸化ニッケル（ＮｉＯ）に変更し、トランジスタによる電流制限をかけることにより、メモリー消去時に必要となる電流を１００μＡ以下に低減した。また、５ナノ秒（ｎｓ）という高速の消去動作でも、素子の品質に影響を及ぼす抵抗のバラツキを約１０分の１に低減させた。

　フラッシュメモリーの代替として、より微細な不揮発性メモリーをＲｅＲＡＭで実現できれば、携帯機器などの高性能化も図られる。

　同社では今後、ＲｅＲＡＭ素子の微細加工技術の開発、読み出し・書き込み回路の設計、チップの試作など、ＲｅＲＡＭの研究開発を推進していく計画。

　今回の新技術は、このほど米国ワシントンＤＣで開催のＩＥＤＭ０７で発表された。