メモリー全体を仮想的に2分割して高速化する擬似2ポート方式の導入で32メガビットの実用的容量で世界最速の833メガヘルツLSIを実現する混載DRAMの新技術

　東芝は、ＬＳＩの混載ＤＲＡＭの新技術として、３２メガビットの実用的容量で世界最高速８３３メガヘルツを実現する回路を開発した。

　 混載ＤＲＡＭは、外付けメモリーに比べ、より高速参照できることから、大容量データを扱う画像処理ＬＳＩなどに使われているが、高精細動画の普及拡大などで、さらなる高速化が求められている。

　 同社では、対象領域を指定して読み書きする従来方式に替え、メモリー全体を仮想的に２分割して読み書きを並列・交互に処理して高速化する疑似２ポート方式を導入した。

　 これに対応してデータ入出力の命令系統を見直すなど回路全般を最適化して、幅広い用途向けに実用的とされる３２メガビット以上の大容量混載ＤＲＡＭで世界最高速動作を実現した。

　 同社では、新技術を最先端６５ナノメートルシステムＬＳＩ向けに早期に適用し、市場のニーズに応えるとしている。

　 今回の成果は、３日から７日まで米国サンフランシスコで開催中の「ＩＳＳＣＣ２００８」で６日に発表された。