動作温度範囲の上限を150℃に拡大し、保存温度範囲もマイナス55℃―150℃を実現した、耐電圧3.3KV、定格電流1500Aのパワー半導体モジュール「HVIGBTモジュール　Rシリーズ」

　三菱電機は、鉄道・電力・工業分野の電力変換装置に用いられるパワー半導体の新シリーズとして、低電力損失で大容量、しかも動作温度範囲の広いパワー半導体モジュール「ＨＶＩＧＢＴモジュール　Ｒシリーズ」を開発。第１弾として、耐電圧が３.３ＫＶ、定格電流が１５００Ａ製品「ＣＭ１５００ＨＣ―６６Ｒ」を６月から発売する。サンプル価格は１８万円。

　Ｒシリーズは、新たに開発した電力損失の少ないＩＧＢＴとダイオードを搭載したパワー半導体モジュールで、３.３ＫＶ耐電圧クラスで業界最大の１５００Ａと、同社従来比２５％以上を実現している。

　また、温度範囲特性に優れた絶縁封止材を材料メーカーと新規に開発し、動作温度範囲の上限を従来の１２５度Ｃから１５０度Ｃに拡大、保存温度範囲もマイナス５５度―１５０度Ｃを実現した。これにより、高温下での使用や寒冷地向け製品にも対応できる。

　発売する１５００Ａ製品は、外径寸法が従来の１２００Ａ製品と同じで、主電極端子や補助電極端子の位置、取り付け穴位置は従来品と互換性がある。ゲート電荷特性も従来品と同等のため、駆動ドライバーの設計変更を最小限に抑えて大容量化ができる。