回路線幅65ナノ技術と第6世代の多値セル技術を使った組込み市場向けNOR型フラッシュメモリー「M29」ファミリー

　スイスのＳＴマイクロエレクトロニクスと米インテルが合弁設立したフラッシュメモリー専業企業、ニューモニクスはこのほど、回路線幅６５ナノメートル技術を使用した組込み市場向けＮＯＲ型フラッシュメモリーの新製品を発表した。

　 先進の６５ナノメートルプロセスを利用することで、顧客に最高の価格/性能バランスを提供するとともに、長期的な製品ライフサイクルのサポートが可能になる。

　 新製品は、第６世代の多値セル（ＭＬＣ）技術「ＳｔｒａｔａＦｌａｓｈ」を用いたメモリー製品で、高密度ＮＯＲ型フラッシュメモリー「Ｍ２９」ファミリーとして提供される。民生電子機器や有線通信機器、産業用アプリケーションでの使用に最適、とニューモニクスは自信を見せる。

　 同製品は現在、主要顧客向けにサンプル出荷されており、量産出荷は０９年上半期を予定している。