65ナノプロセスのシュリンク版1ギガビットDDR2　SDRAM

　エルピーダメモリ（坂本幸雄社長）は、従来の６５ナノメートルプロセス品に比べ３００ミリメートルウエハ１枚当たりのチップ取得数を２０％向上した１ギガビットＤＤＲ２　ＳＤＲＡＭシュリンク版（チップ縮小版）の開発を完了した。

　７０ナノメートル品との比較では、取得数を６０％向上した。年内に広島工場と台湾の合弁会社レックスチップおよび生産パートナーの台湾ＰＳＣで量産を開始する予定。

　シュリンク版の新製品は、第１世代の６５ナノメートルプロセス品に新しいアーキテクチャを導入し、チップサイズの縮小を実現した。第１世代６５ナノメートル品に対しても、約２０％のコストダウンを可能にする。

　同社は５０ナノメートルプロセス開発も最終段階に来ており、１１月中に完了する見込みだ。量産開始は０９年１―３月期を予定しているが、ベストケースでは今年１２月末の量産開始もあり得るという。

　チップサイズが４０平方ミリメートル以下となる５０ナノメートルプロセス品は、今回のシュリンク版に比較して、生産性が約５０％向上すると見込む。

　同シュリンク版の開発成功により、ＤＲＡＭ不況が長期化、または比較的早く回復する場合でも、それぞれのケースに対応した設備投資や生産ライン構築に柔軟に対応できるようになった。