電波プロダクトニュース



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日付 メーカー名 製品分類 分類 用途
10月29日081029_01 東芝 半導体集積回路 メモリー デジタル情報家電用

最先端の43ナノプロセス採用の2値NAND型フラッシュメモリー16種類


 東芝は、最先端の43ナノメートルプロセスで2値(SLC=シングル・レベル・セル)技術を用いたNAND型フラッシュメモリー16種類を製品化、09年第1四半期(1―3月)から順次量産を開始する。

  NAND型フラッシュメモリーを搭載するアプリケーションの多様化が進んでおり、携帯電話や薄型テレビ、OA機器、サーバーなどの分野では、高性能で信頼性の高いSLCのNAND型フラッシュメモリーが注目されている。

  同社はメモリーセル1つに2つのデータを書き込める多値(MLC=マルチ・レベル・セル)技術を用いたNAND型フラッシュメモリーの開発にで、メモリーカードや音楽プレヤー向けに大容量の製品を提供してきたが、今回、SLCのNAND型フラッシュメモリーも新たにラインアップすることで、高信頼性が求められる市場要求に応え、NAND型フラッシュメモリー事業全体の拡大を図る。

  SLCのNAND型フラッシュメモリーは、書き込み回数が多く、しかも書き込み、読み込み速度が速く信頼性に優れている。同社は今回、最先端の43ナノメートルプロセスを適用したSLCのNAND型フラッシュメモリーを512メガビットから64ギガビットまでラインアップする。

  16ギガビットから64ギガビットまでの大容量品3製品は、2値品で業界最大の1チップ当たり16ギガビットのチップを搭載。


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