190Vパワーダイオードを内蔵したNチャンネルパワーMOSFET「SiA850DJ」

　ビシェイ・インターテクノロジー社の１事業部門であるビシェイ・シリコニクス社は、業界初の１９０Ｖパワーダイオードを内蔵したＮチャンネルパワーＭＯＳＦＥＴ「ＳｉＡ８５０ＤＪ」を発表した。

　 新製品は、２ミリメートル角×０.７５ミリメートルサイズの超薄型ＳＣ―７０パッケージ。業界で初めてオン抵抗を１.８Ｖで規定したデバイス。オン抵抗は、１.８Ｖで１７Ω、４.５Ｖで３８Ω。

　 ＭＯＳＦＥＴとパワーダイオードが１パッケージ化されたことで、基板上の面積が３分の１以上節約でき、外付けダイオードが不要になるため、コストダウンを図ることもできる。

　 ダイオードの順方向電圧は、電流が０.５Ａで１.２Ｖ。

　 高圧圧電モーター用のブーストＤＣ―ＤＣコンバータや携帯電話、ＰＤＡ、ＭＰ３プレヤー、スマートフォンといった携帯機器の有機ＬＥＤバックライト用に使用される。