内部ダイオード逆回復時間を高速化したSJ構造のMOSFET

　ロームは２６日、新開発のスーパージャンクション（ＳＪ）構造を採用し、ＳＪ構造のＭＯＳＦＥＴで課題だった内部ダイオード逆回復時間（ｔｒｒ）の高速化に成功したと発表した。

　 新開発のＳＪ構造は、Ｐマイナス部直下のＮマイナス部に特殊イオンを選択的に注入し、世界で初めてトラップレベルを素子内部に形成した。これによりＳＪ構造のＭＯＳＦＥＴでもｔｒｒを高速化できた。電圧６００Ｖ、電流８Ａ品でｔｒｒを同社従来ＳＪ―ＭＯＳＦＥＴの１６０ナノ秒から７０ナノ秒に約６０％低減した。

　 オン抵抗、ゲート電荷量（Ｑｇ）が低く、スイッチングスピードが速いもののｔｒｒが遅いため、ＳＪ構造の高耐圧ＭＯＳＦＥＴを使えなかった液晶テレビのバックライトインバータ、照明用インバータ、モータードライバー、スイッチング電源などのブリッジ回路に使用できる。

　 ｄｉ/ｄｔ破壊耐量が懸念される回路にも使え、外付け部品として必要だったファストリカバリダイオード、ブロッキングダイオードを不要にした。基板面積の縮小や高周波化によるトランスを含めたセットの小型化も可能だ。

　 ６００Ｖ品でオン抵抗４.３Ω・平方ミリ、５００Ｖ品で同３.７Ω・平方ミリの高耐圧ＭＯＳＦＥＴ「Ｆシリーズ」として４月に電圧６００Ｖ・電流８Ａ品（パッケージＴＯ２２０ＦＭ）と電圧５００Ｖ・電流１１Ａ品（同）の２品種から量産する。

　 ２月にサンプル出荷。サンプル価格３００円/個。０９年度中に６００Ｖ系、５００Ｖ系ともにＬＰＴＳ（Ｄ２パック）、ＣＰＴ（Ｄパック）のパッケージ品をラインアップする。

　 生産は前工程をローム・アポロデバイス（福岡県）、ロームつくば（茨城県）で、後工程をタイのローム　インテグレイティッド　システムズ（タイランド）で行う。月産能力１００万個で立ち上げる。