128メガビットで世界最速の1.6ギガバイト/秒のFeRAM

　東芝は不揮発性ＲＡＭとしては世界最大容量の１２８メガビット、世界最速の転送速度１.６ギガバイト/秒を実現したＦｅＲＡＭ（強誘電体メモリー）を開発した。ＤＲＡＭと同じインターフェイス規格を搭載、システムの性能向上および低消費電力化を可能にする。今後メーンメモリーとして携帯電話などの各種モバイル機器への搭載や、モバイルＰＣ、ＳＳＤなどのキャッシュメモリーとしての使用を見込んでいる。

　 今回、開発された新ＦｅＲＡＭは、省スペース化を実現する同社独自の「チェーン構造」を改造（従来の４本を８本）した。チェーン構造は、チップ面積を削減、微細化に伴うノイズの増加を抑制するため、回路内の隣接する２配線を切り替えながら交互に動作させるもの。

　 さらに、セルサイズの小型化に伴う課題だった信号量の低下を防ぐ新規アーキテクチャを搭載した。センスアンプの回路を改良することで、負荷（寄生静電容量）を減少し、読み出しに十分な信号量２００ｍＶを実現。

　 新たに、データ転送時に生じる内部の電源供給レベルの揺れを予測し調整する電源回路を追加している。この回路とＦｅＲＡＭの低消費電力で高速に読み書きできる特徴により、従来の最高速度の不揮発性メモリーとの比較では８倍。

　 １.６ギガバイト/秒の高転送速度を生かし、高速ＤＲＡＭ規格のＤＤＲ２インターフェイスを搭載している。

　 採用したプロセスは１３０ナノメートル。セルサイズは０.２５２平方μメートル、アクセス時間４３ナノ秒、サイクル時間８３ナノ秒。

　 今回の新技術は、８日から米サンフランシスコで開催中の「ＩＳＳＣＣ２００９」（国際固体素子回路会議）で１１日（現地時間）に発表する。同社はことしのＩＳＳＣで計８件の技術論文の発表を予定している。