電波プロダクトニュース



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日付 メーカー名 製品分類 分類 用途
2月12日090212_01 東芝/サンディスク 半導体集積回路 メモリー 移動体通信機器用

チップ面積が世界最小の8/16値2種類のNAND型フラッシュメモリ


 東芝とサンディスクは、多値技術を用い3ビット/セル(8値)と4ビット/セル(16値)の2種類のNAND型フラッシュメモリーを開発した。

  3ビット/セルは32ナノメートルプロセスを用い、32ギガビット品としては世界最小のチップ面積を実現。また4ビット/セルは43ナノメートルプロセスを用い、1チップで世界最大の64ギガビットを実現している。

  32ナノメートルプロセスによる32ギガビット品は、09年後半から四日市工場(三重県)で量産開始を予定。

  3ビット/セルでは、書き込み用に書き込みが必要なセルのみ判断する機能を搭載することにより、しきい値電圧の分布幅の精密な制御を可能とした。また、ロウデコーダの回路構成の簡素化やカラム(チップの入力単位、ビット線8本分)制御方式を工夫、チップサイズを縮小した。従来の43ナノメートルプロセス品に比べ2ビット/セルで16ギガビット品(約120平方ミリメートル)よりも小さい、32ギガビット品では世界最小の約113平方ミリメートルのチップ面積を実現。

  4ビット/セル品では、選択ワード線の全セルを同時に読み出す方式の採用などで書き込み速度は7・8メガビット/秒。

  今回の新技術は、8日から米サンフランシスコで開催中の「ISSCC2009」(国際固体素子回路会議)で10日(現地時間)発表した。

  ◇ロウデコーダ=使用するNANDセルを選択するためにワード線および選択ゲート線の電圧を制御する回路。


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