電波プロダクトニュース



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日付 メーカー名 製品分類 分類 用途
8月31日090831_02 エルピーダ 半導体集積回路 メモリー パソコン・OA機器・LAN用

Cu-TSV(Si貫通電極)による積層ギガビットDRAM


 エルピーダメモリはこのほど、Cu―TSV(Si貫通電極)による積層8ギガビットDRAMの開発に成功、今年末からサンプル出荷を開始する。同社では「TSV積層技術を確立したことでTSV積層品の量産、実用化が見えてきた」としている。10年半ばには16ギガビット品(2ギガビットDRAM積層)のサンプル出荷も計画。

 TSVはチップに小さな穴を開け、底に金属を充填することによって、サンドイッチ状に積み重ねた複数のチップを電気的に接続する3次元スタックパッケージ技術。

 同社は04年にNEDO(新エネルギー・産業技術総合開発機構)の助成により開発をスタートして以来、TSV技術の開発に取り組んできた。広島工場にはTSVラインを設け、秋田エルピーダのパッケージ工程と合わせ、国内でTSV製品を一貫生産できる体制を整えている。

 今回開発されたTSV・DRAMは1ギガビットDDR3 SDRAMを8枚積層、インターフェイス層と合わせ、9層構成の8ギガビットDDR3 SDRAM。コア間の接合端子数は1030ピン。パッケージ厚は最大1.3ミリメートル。

 従来のMCP(マルチ・チップ・パッケージ)やPoP(パッケージ・オン・パッケージ)に比べ、待機時の消費電力は4分の1に低減した。

 今後、大容量DRAMだけでなく、ロジックとの超ワイドビット接続による高性能、省電力チップの開発も進めていく計画。

 TSVの応用製品の対象アプリケーションとしては、スパコン、サーバー用の超大容量DRAMモジュールやプロセッサとの積層による高性能モバイル機器向けチップ、高性能デジタル家電、ゲーム機器向けハイエンドグラフィックスチップ。


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