40ナノプロセスによる２ギガビットDDR3 SDRAM

　エルピーダメモリはこのほど、高速、低消費電力を世界最小のチップサイズで実現する４０ナノメートルプロセスによる２ギガビットＤＤＲ３　ＳＤＲＡＭを開発、１１月からサンプル出荷に入る。年内に量産開始の予定。

　新製品は、同社の５０ナノメートルＤＤＲ３　ＳＤＲＡＭ品に比べ、ウエハー当たりのチップ取得数を４４％増加。スピード面でも現行ＤＤＲ３の最速規格となる１.６ギガｂｐｓ品の歩留まり１００％を達成している。

　また、消費電流は５０ナノメートル品比でおよそ３分の２に削減、ＤＤＲ標準の１.５Ｖのみならず１.２Ｖ／１.３５Ｖもサポートし、消費電力を最大４５％削減する。

　同社は今後、今回の第１弾製品に続き、４０ナノメートルプロセス品の構成を増やすことで、さらなるコスト削減を図る。４０ナノメートルプロセスのライン構成比を、ＤＲＡＭ市況を見極めた上で、最大５０％程度に引き上げる。