ウエハーレベルでメタル接合可能なパワーデバイス素子接合材料

　田中貴金属工業（岡本英彌社長）は、ウエハーレベルでもメタル―メタル接合が可能なサブミクロン金粒子によるパワーデバイス素子接合材料の提供をこのほど開始した。

　 開発された新技術は、サブミクロン金粒子スラリーにデバイス素子を載せ、加熱・加圧するだけで安定的なメタル―メタルダイボンド接合を可能にする。サブミクロン金粒子による接合は、従来のスズ系ハンダ接合と比較して約２０倍の疲労強度を有するため、過酷な使用環境でも強い接合強度を維持できる。

　 また、高温接合強度も、１３０度Ｃでシェア強度４３ＭＰａとスズ系ハンダの約２倍の強度を有し、さらにスズ系では溶解し、接合できないＳｉＣ系パワー半導体動作温度３００度Ｃでも３０ＭＰａ程度の強度が維持できるため、次世代半導体接合のソリューションとなる。

　 同社では次のような用途を見込む。ＭＥＭＳとＬＳＩの接合、ＭＥＭＳ向け気密封止、パワー半導体ダイボンド接合、電極接続（異材質基板同士）、ＬＥＤダイボンド接合、など。