低耐圧トレンチゲートパワーMOSFET「EETMOSシリーズ」

　新電元工業は、Ｒｏｎ（オン抵抗）・Ｃｉｓｓ（入力容量）で世界最高性能を達成した低耐圧トレンチゲートパワーＭＯＳＦＥＴ（金属酸化膜電界効果トランジスタ）“ＥＥＴＭＯＳシリーズ”を開発した。４月からサンプル出荷を開始、順次量産化を計画している。ＥＥＴＭＯＳは、トレンチゲート構造やトレンチレイアウトの最適化と最新のパッケージ技術導入などにより、Ｒｏｎは世界トップ水準を実現した。

　 また、Ｑｇ（Ｃｉｓｓ）、Ｏｇｄ（Ｃｒｓｓ）においても、他社製品に比べ約４０％の低減に成功し、パワーＭＯＳＦＥＴの重要な性能指数のＲｏｎ・Ｃｉｓｓにおいて、世界最高性能を達成している。

　 同社は「エネルギーの変換効率を極限まで追求することにより、人類と社会に貢献する」を企業ミッションに“環境性能”にこだわり、世界レベルの技術による製品開発に挑戦する。

　 「トレンチ構造で低耐圧パワーＭＯＳＦＥＴを開発することができた。業界に大きな衝撃、影響を与えると思う。小型・薄型の新パッケージを導入するなどＥＥＴＭＯＳシリーズのラインアップをさらに強化していきたい。民生や情報通信分野で実績を積み、将来は車載分野への展開も計画している」（小山三千生上席執行役員電子デバイス事業本部長）。