電波プロダクトニュース



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5月11日100511_02 サムスン電子 半導体集積回路 メモリー 移動体通信機器用

30ナノプロセス採用の8ギガビットOneNAND型チップ


 【ソウル支局】韓国のサムスン電子はこのほど、30ナノメートル級の先進プロセス技術を使用した8ギガビットOneNAND型チップを発表した。シングルレベルセル(SLC)NAND型フラッシュメモリーをベースとしており、スマートフォンの大容量データ処理に最適とサムスンは説明する。今月下旬から量産出荷開始の予定だ。

  OneNAND型チップは、NAND型フラッシュメモリーとSRAM、制御ロジックを1チップに集積したもので、NAND型の大容量ストレージ機能とNOR型の高速読み出し機能を併せ持つ。

  サムスンが発表した8ギガビット製品は低電圧設計で、データ読み出し速度は毎秒70メガバイトと、従来のNAND型フラッシュメモリーの4倍。先進の30ナノメートル級プロセス技術を適用したことで、生産性は前世代の40ナノメートル級技術を使用した場合に比べ、40%向上した。

  サムスンは04年から、別個のソフトを開発しなくとも端末アプリケーションに適用できる高性能ソリューションとして、OneNANDの採用を拡大してきた。

  米市場調査会社、アイサプライによると、携帯電話向けの組込みNAND型フラッシュメモリーに対する需要は、10年には1ギガバイト換算で11億個、11年には25億個に達する見込み。また米ストラテジック・アナリシスによると、スマートフォン需要は10年に2億8500万台、13年には5億8千万台まで拡大する見通しだ。


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