Vf特性向上の第4世代SiCショットキー・ダイオード

　独インフィニオン　テクノロジーズ（日本法人＝東京都品川区、森康明代表取締役社長）が、第４世代ＳｉＣショットキー・ダイオードのサンプル出荷を１２月に開始する。チップ構造の見直しなどで、第３世代製品に比べてＶｆ特性を０・４Ｖ低めることに成功したという。

　 同社はこれまで、ＳｉＣショットキー・ダイオードとして「ＴｈｉｎＱ！」シリーズを展開している。現在は第３世代製品まで提供しており、チップ構造などが見直された第４世代製品が加わることになる。同世代製品では、パッケージ形態などが異なる耐圧６００Ｖ、６５０Ｖ、１２００Ｖの各種製品がラインアップされる予定だ。

　 同社のＳｉＣ生産拠点はオーストリアのフィラハ工場。全量４インチウエハーで生産しており、現状、需要に対応できるだけの十分な生産体制を構築済みという。ＳｉＣウエハーは米クリー社から購入している。

　 第４世代製品の単価は未定ながらも「第３世代製品では１００円を切るものもある」（同社）としており、量産規模では同様の価格帯で提供することを目指している。