電波プロダクトニュース



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日付 メーカー名 製品分類 分類 用途
8月11日100811_01 ハイニックス 半導体集積回路 メモリー デジタル情報家電用

20ナノ級技術を使用した64ギガビットNAND型フラッシュメモリー


 【ソウル支局】韓国のハイニックス半導体はこのほど、同国清州市の300ミリウエハーファブ「M11」で、20ナノメートル級プロセス技術を使用した64ギガビットNAND型フラッシュメモリーの量産を開始したと発表した。20ナノメートル級技術によるNAND型フラッシュの量産は、韓国のサムスン電子に次いで世界で2例目となる。

  20ナノメートル級技術を適用することで、従来の30ナノメートル級32ギガビットNAND型フラッシュメモリーに比べ生産性が60%向上。高密度、高コスト効率のチップの量産により、スマートフォンやタブレットPCなど、モバイル製品に最適のソリューションを適時に提供する体制が整ったとしている。

  同時に、30ナノメートル級プロセスによる32ギガビットNAND型フラッシュメモリーと、イスラエルのNAND型フラッシュメモリー設計企業、アノビット社のコントローラを組み合わせたNANDフラッシュソリューションを開発したことも明らかにした。同製品は高速で動作し、記憶装置としての信頼性を大幅に向上させる。

  ハイニックスでは、今回量産を開始した20ナノメートル級チップとコントローラを組み合わせたソリューションの評価を9月にも実施する計画だ。




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