モバイル向け30ナノ技術による4ギガビットLPDDR2

　韓国のサムスン電子はこのほど、３０ナノメートル級技術による業界最高密度の４ギガビットＬＰＤＤＲ２（低電力・ダブルデータレート）ＤＲＡＭを開発、サンプル出荷を開始したと発表した。スマートフォンやタブレットＰＣなど、高性能モバイルアプリケーション市場をターゲットに提供する。

　 同ＤＲＡＭの最大データ転送速度は、ＰＣ用メモリーソリューションの性能に近い１０６６メガビット/秒（メガｂｐｓ）。従来、モバイル用として使用されてきたＤＲＡＭの性能（３３３メガビット/秒から４００メガビット/秒で動作）の２倍以上だ。

　 サムスンは１１年には８ギガビットのモバイルＤＲＡＭが主流になるとみて、今回開発した４ギガビットチップを２個、単一パッケージに集積した８ギガビットＬＰＤＤＲ２　ＤＲＡＭのサンプル出荷も今月から開始する。

　 ２ギガビットチップを４個使った従来の８ギガビット（＝１ギガバイト）のＬＰＤＤＲ２　ＤＲＡＭに比べ、サムスンの新チップを使用した８ギガビットソリューションは、パッケージの高さが１ミリから０.８ミリに縮小。２５％の省エネを実現する。これにより長バッテリ寿命でより薄型、軽量のモバイル機器の設計が可能になると同社は説明する。

　 同社は２月に、４０ナノメートル級技術による２ギガビットのＬＰＤＤＲ２　ＤＲＡＭを開発、４月からモバイル市場向けに提供してきた。今後は３０ナノメートル級４ギガビットチップで、スマートフォンやタブレットＰＣ市場の拡大に伴い、急増する高密度ＬＰＤＤＲ２ニーズに対応していく。また、４ギガビットチップを４個集積した１６ギガビット（２ギガバイト）チップの提供も計画中だ。

　 米調査会社アイサプライによると、中位から高品位スマートフォンの出荷数は０９年から１４年まで年率１８％で拡大するという。これに搭載されるモバイルＤＲＡＭの出荷量は、１４年には０９年比６４％増の見込みだ。