耐放射線特性を強化したRAD-HardパワーMOSFET

　インターナショナル・レクティファイアー・ジャパン（ＩＲジャパン）は、耐放射線特性を強化したＲＡＤ―ＨａｒｄパワーＭＯＳＦＥＴの受注を開始した。耐圧１００Ｖで、新開発パッケージＳＭＤ０.２に搭載した３品種を製品化。

　 ＳＭＤ０.２は、ハーメチックシール（気密封止）の小型表面実装パッケージで、衛星の電源や電源系バス・システムなどの宇宙用途向け。１千個購入時単価は３７１ドルから。

　 新パッケージは、耐放射線型ＭＯＳＦＥＴ専用に開発。熱伝導率を高めるために窒化アルミニウム（ＡｌＮ）のセラミックを使用している。

　 サイズは８×５×３ミリメートルで、重さは０・２５グラム。従来のＳＭＤ０.５パッケージと比べて、実装面積は５０％小さく、重さも７５％軽くなっている。最大消費電力は、従来品と同じ２３Ｗ程度を保っている。

　 製品化した３品種は、実績のある耐放射線型ＭＯＳＦＥＴ技術を使用し製造。ＩＲＨＬＮＭ７７１１０と同５７１１０はｎチャネル、同５９７１１０はｐチャネルＭＯＳＦＥＴとなっている。